レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線

• 深田 直樹

  物質・材料研究機構半導体材料センター

書誌事項

タイトル別名

• Silicon nanowires synthesized by laser ablation
• 研究紹介 レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線--酸化による細線径および応力の制御と不純物ドーピング
• ケンキュウ ショウカイ レーザーアブレーションホウ ニ ヨリ セイセイ シタ Si ナノサイセン サンカ ニ ヨル サイセンケイ オヨビ オウリョク ノ セイギョ ト フジュンブツ ドーピング
• −Control of diameter and stress by thermal oxidation and impurity doping−
• −酸化による細線径および応力の制御と不純物ドーピング−

抄録

半導体一次元Siナノ細線は，縦型立体構造を有する次世代半導体デバイスの構成要素として着目されている．その実現のためには，Siナノ細線の形成および配列を制御し，ナノサイズ特有の特性を理解する必要がある．本稿では，熱酸化による応力誘起とそれによる酸化の自己停止を利用したサイズ制御，および不純物ドーピングの可能性について調べた結果を紹介する．また，ナノ細線径の減少に伴うナノサイズ特有のフォノン閉じ込め効果についても紹介する．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 75 (12), 1481-1486, 2006-12-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• Si nanowires
• laser ablation
• phonon confinement
• stress
• impurity doping
• Raman scattering
• electron spin resonance

詳細情報

• CRID: 1390564227313992320
• NII論文ID: 10018633861
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.75.12_1481
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 8560100
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/8560100
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8560100
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可