電子スピン共鳴法による半導体デバイス作製プロセスの表面反応解析

• 山崎 聡

  産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Surface reaction analysis of semiconductor device fabrication processes using <i>in-situ</i> electron spin resonance
• 研究紹介 電子スピン共鳴法による半導体デバイス作製プロセスの表面反応解析
• ケンキュウ ショウカイ デンシ スピン キョウメイホウ ニ ヨル ハンドウタイ デバイス サクセイ プロセス ノ ヒョウメン ハンノウ カイセキ

抄録

半導体・絶縁体の薄膜成長や表面修飾に伴う表面の欠陥の発生のダイナミックなプロセスを観察するために，電子スピン共鳴法を用いたその場観察を開発した．半導体デバイス作製プロセス中には多くの欠陥が存在し，その制御が重要であることを，シリコン酸化，アモルファスシリコン薄膜製膜，SiO₂ のエッチングを例に紹介する．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 75 (12), 1487-1491, 2006-12-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• defect
• surface
• <i>in-situ</i>
• ESR
• P_b center
• growth
• etching

詳細情報

• CRID: 1390282752332228224
• NII論文ID: 10018633901
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.75.12_1487
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 8560133
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8560133
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可