MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性

• 中山 正昭

  大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻

• 田中 浩康

  大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻

• 安藤 雅信

  豊田合成株式会社 オプトE事業部

• 上村 俊也

  豊田合成株式会社 オプトE事業部

書誌事項

タイトル別名

• Photoluminescence from inelastic scattering processes of excitons under intense-excitation conditions in a GaN thin film grown by Metal-organic vapor phase epitaxy

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス

  電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 106 (271), 69-73, 2006-09-28

キーワード

• GaN
• exciton
• photoluminescence
• exciton-exciton scattering
• exciton-electron scattering
• MOVPE

詳細情報

• CRID: 1571698600321904768
• NII論文ID: 10018637247
• NII書誌ID: AN10442705
• 本文言語コード: en
• データソース種別:
  • CiNii Articles