n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響 Impact of acceptor concentration on electronic properties of n-GaN/p-SiC heterojunction for GaN/SiC heterojunction bipolar transistor

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収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス  

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 106(271), 107-112, 2006-09-28 

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018637320
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10442705
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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