窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御 Interface control for GaN-based devices

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著者

    • 木村 健 KIMURA T.
    • 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
    • 小谷 淳二 KOTANI J.
    • 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
    • 加藤 寛樹 KATO H.
    • 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
    • 田島 正文 TAJIMA M.
    • 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
    • 小川 恵理 OGAWA E.
    • 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
    • 水江 千帆子 MIZUE C.
    • 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
    • 橋詰 保 HASHIZUME T.
    • 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(269), 29-34, 2006-09-28 

参考文献:  10件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018645355
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012954
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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