ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響 Influences of nitrogen plasma on crystalline quality of GaN films grown on Si(111) substrates at low-temperatures by electron cyclotron resonance plasma-assisted molecular-beam epitaxy

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著者

    • 淀 徳男 YODO Tokuo
    • 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology
    • 白石 雄起 SHIRAISHI Yuki
    • 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology
    • 平田 清隆 HIRATA Kiyotaka
    • 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology
    • 富田 博之 TOMITA Hiroyuki
    • 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology
    • 西江 紀明 NISIE Noriaki
    • 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology
    • 堀部 裕明 HORIBE Hiroaki
    • 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology
    • 岩田 圭吾 IWATA Keigo
    • 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(269), 45-49, 2006-09-28 

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018645380
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012954
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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