ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響

• 淀 徳男

• 白石 雄起

• 平田 清隆

Bibliographic Information

Other Title

• ECR MBEホウ ニ ヨル Si キバン ジョウ GaN ハクマク サクセイ エ ノ チッソ プラズマ ガ オヨボス エイキョウ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (269), 45-49, 2006-10

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• 六方晶GaN
• ECRプラズマアシストMBE法
• プロセスの低温化
• Si(111)基板
• イオンダメージ
• Hexagonal-GaN
• ECR-plasma assisted MBE
• low temperature growth process
• Si (111) substrate
• ion damage

Details

• CRID: 1520009409198569600
• NII Article ID: 110004851299
• NII Article ID: 10018645380
• NII Article ID: 110005519486
• NII Article ID: 110004851331
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 8539260
• NDL BIB ID: 8539863
• NDL BIB ID: 8539861
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539260
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539863
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539861
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles