AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化

• 中田 健

• 川崎 健

• 松田 慶太

Bibliographic Information

Other Title

• AlGaN GaN HEMT ノ コウタイアツカ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (271), 7-12, 2006-10

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• パワーデバイス
• 低オン抵抗
• 高耐圧
• Feドープ
• 基板
• power switching device
• low specific on-state resistance
• high breakdown voltage
• Fe doping
• Substrate

Details

• CRID: 1520009407777505024
• NII Article ID: 110004851292
• NII Article ID: 10018646216
• NII Article ID: 110005519479
• NII Article ID: 110004851324
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 8539731
• NDL BIB ID: 8539730
• NDL BIB ID: 8539115
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539731
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539730
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539115
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles