半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価

• 上田 雅也

• 小島 一信

• 船戸 充

Bibliographic Information

Other Title

• ハンキョクセイ 11 22 GaN キバン ジョウ エ ノ InGaN GaN リョウシ イド コウゾウ ノ サクセイ ト コウガク トクセイ ヒョウカ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (271), 57-61, 2006-10

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• 有機金属気相成長
• semipolar {11-22}
• InGaN/GaN quantum wells
• metalorganic vapor phase epitaxy

Details

• CRID: 1520572357006768128
• NII Article ID: 110004851333
• NII Article ID: 10018646297
• NII Article ID: 110005519488
• NII Article ID: 110004851301
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 8539877
• NDL BIB ID: 8539878
• NDL BIB ID: 8539286
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539877
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539878
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539286
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles