MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性 Photoluminescence from inelastic scattering processes of excitons under intense-excitation conditions in a GaN thin film grown by Metal-organic vapor phase epitaxy

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著者

    • 中山 正昭 NAKAYAMA Masaaki
    • 大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University
    • 田中 浩康 TANAKA Hiroyasu
    • 大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料  

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 106(270), 69-73, 2006-09-28 

参考文献:  16件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018646327
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012932
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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