高耐圧SiC-JFETの交流特性測定--高電圧バイアスおよびゲート電圧印加を可能とする測定回路

• 松崎 俊太郎

• 舟木 剛

• 引原 隆士

Bibliographic Information

Other Title

• コウタイアツ SiC JFET ノ コウリュウ トクセイ ソクテイ コウデンアツ バイアス オヨビ ゲート デンアツ インカ オ カノウ ト スル ソクテイ カイロ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (274), 19-24, 2006-10-04

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• 端子間静電容量
• ゲート注入電荷量
• パラメータ抽出
• Capacitance characteristics
• Injected gate charge
• Parameter extraction

Details

• CRID: 1520572359288680576
• NII Article ID: 110004851740
• NII Article ID: 10018646708
• NII Article ID: 110004851461
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 8540049
• NDL BIB ID: 8539792
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8540049
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8539792
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles