IFVD窓構造による9xx nm高出力半導体レーザ 9xx nm high power lasers with window structure fabricated by Impurity Free Vacancy Disordering (IFVD)

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著者

    • 谷口 英広 TANIGUCHI H.
    • 古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター Photonic device research center, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 石井 宏辰 ISHII H.
    • 古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター Photonic device research center, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 湊 龍一郎 MINATO R.
    • 古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター Photonic device research center, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 大木 泰 OHKI Y.
    • 古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター Photonic device research center, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 山口 武治 YAMAGUCHI T.
    • 古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター Photonic device research center, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 行谷 武 NAMEGAYA T.
    • 古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター Photonic device research center, Furukawa Electric Co., Ltd.
    • 粕川 秋彦 KASUKAWA A.
    • 古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター Photonic device research center, Furukawa Electric Co., Ltd.

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス  

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 106(404), 49-53, 2006-12-01 

参考文献:  6件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018700625
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10442705
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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