Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ High-Quality InAlN/GaN HEMT Epi-Wafers grown on Si (111) Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

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著者

    • 渡邉 則之 WATANABE Noriyuki
    • 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation
    • 横山 春喜 YOKOYAMA Haruki
    • 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation
    • 廣木 正伸 HIROKI Masanobu
    • 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation
    • 小田 康裕 ODA Yasuhiro
    • 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation
    • 小林 隆 KOBAYASHI Takashi
    • 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(459), 183-187, 2007-01-10 

参考文献:  11件

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キーワード

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018727145
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012954
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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