AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化 Improvement of Breakdown Voltage in AlGaN/GaN/AlGaN Double-Heterojunction FET with AlN Buffer Layer

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著者

    • 松尾 尚慶 MATSUO Hisayoshi
    • 松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
    • 上野 弘明 UENO Hiroaki
    • 松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
    • 上田 哲三 UEDA Tetsuzo
    • 松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
    • 田中 毅 TANAKA Tsuyoshi
    • 松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(459), 189-192, 2007-01-10 

参考文献:  4件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018727157
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012954
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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