AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化

• 松尾 尚慶

• 上野 弘明

• 上田 哲三

Bibliographic Information

Other Title

• AlN バッファ オ モチイタ AlGaN GaN AlGaN ダブルヘテロ FET ノ コウタイアツカ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (460), 189-192, 2007-01

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• AlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ
• ダブルヘテロ構造
• パワーデバイス
• 高耐圧
• 低リーク電流
• AlGaN/GaN heterojunction field effect transistor
• double-heterojunction
• power device
• high breakdown voltage
• low leakage current

Details

• CRID: 1520290883428996352
• NII Article ID: 110006202185
• NII Article ID: 10018727157
• NII Article ID: 110006205184
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 8639584
• NDL BIB ID: 8639281
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8639584
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8639281
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles