A 36mm GaN-on-Si HFET Producing 368W at 60V with 70% Drain Efficiency

収録刊行物

被引用文献 (1)*注記

もっと見る

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573668925176496768
  • NII論文ID
    10018727177
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ