ミリ波向け高耐圧・高f_<max> GaN-HEMT High-f_<max> GaN HEMT with High Breakdown Voltage for Millimeter-wave Applications

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  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(459), 213-217, 2007-01-10

参考文献:  7件中 1-7件 を表示

  • <no title>

    MAKIYAMA K.

    IEDM Technical Digest, 2003, 2003

    被引用文献1件

  • <no title>

    KIKKAWA T.

    Compound Semiconductor Mantech Digest, 2006, 2006

    被引用文献1件

  • <no title>

    KUMAR V.

    IEEE Trans. Electron Devices 53, 1477, 2006

    被引用文献1件

  • <no title>

    INOUE T.

    IEEE Trans. Micron. Theoty Tech. 53, 74, 2005

    被引用文献1件

  • <no title>

    MOON J. S.

    IEEE Electron Device Letter 26, 348, 2005

    被引用文献1件

  • <no title>

    WU Y.-F.

    IEDM Technical Digest, 2005, 2005

    被引用文献1件

  • AlGaN/GaN HEMTs on SiC With f_T of over 120 GHz

    KUMAR V.

    IEEE Electron Device Lett. 23(8), 455-457, 2002

    被引用文献6件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018727217
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012954
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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