Naフラックス法を用いたEuドープGaNの合成および光学特性評価 Synthesis of Eu-doped GaN by the Na Flux Method and Characterization

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著者

    • 南部 洋志 NANBU Hiroshi
    • 東北大学 多元物質科学研究所 Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

抄録

Eu-doped GaN crystals were synthesized at 600-750°C and N<SUB>2</SUB> pressure of 5 MPa from 1 mol% Eu-added Na-Ga melts. The yield and morphology of crystals varied with temperature and Na mole fraction, <I>r</I><SUB>Na</SUB>=Na/(Na+Ga) in the melts. Colorless transparent columnar crystals of Eu-doped GaN were obtained as crusts formed on the Na-Ga melt surface at <I>r</I><SUB>Na</SUB>=0.67 and 650 or 700°C. Under an ultraviolet light, the crusts glowed red. A strong emission peak concerned with the intra-4f transition of Eu<SUP>3+</SUP> from <SUP>5</SUP><I>D</I><SUB>0</SUB> to <SUP>7</SUP><I>F</I><SUB>2</SUB> was observed at 621 nm in the photoluminescence (PL) spectrum. The maximum PL intensity was observed in the sample prepared at <I>r</I><SUB>Na</SUB>=0.67 and 650°C.

収録刊行物

  • 粉体および粉末冶金  

    粉体および粉末冶金 54(2), 126-129, 2007-02-15 

    Japan Society of Powder and Powder Metallurgy

参考文献:  20件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018736828
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00222724
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    05328799
  • NDL 記事登録ID
    8728027
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-274
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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