Fabrication and Characterization of a Schottky Barrier Diode-Type Ultraviolet Sensor using a ZnO Single Crystal

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抄録

In this paper, a visible light blind ultraviolet sensor of a Schottky barrier photodiode using a ZnO single crystal is described. The sensor consists of a semitransparent Pt film for the Schottky electrode and Al thin film for the ohmic electrode on an n-type ZnO single crystal substrate grown by the hydrothermal method. The responsivity was 0.12 A/W at the wavelength of 365 nm and the photoresponse time was 12 μs.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society  

    電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society 127(3), 131-135, 2007-03-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  16件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018737742
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1052634X
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13418939
  • NDL 記事登録ID
    8728674
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-B380
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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