Reliability of Surface MEMS Structures Fabricated Using Standard CMOS Back-End-Of-Line Processes

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抄録

Reliability of surface MEMS fabricated with standard CMOS back-end-of-line (BEOL) processes was investigated by several film analyses and by monitoring change in MEMS properties after standard pressure cooker test (PCT). A significant change in MEMS characteristics was observed after PCT for samples with SiN passivation layer thinner than 100nm, while for passivation layer thicker than 150nm, no change was observed. A large shift in film stress after PCT and results from TDS (Thermal Desorption Spectroscopy) and XRR (X-ray reflectometry) suggested that this is due to water release from SiO<sub>2</sub> film used in the structure.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society  

    電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society 127(3), 144-147, 2007-03-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  4件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018737770
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1052634X
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13418939
  • NDL 記事登録ID
    8728720
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-B380
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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