4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET 4.3mΩcm^2, 1100V normally-off IEMOSFET on SiC

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著者

    • 原田 信介 HARADA Shinsuke
    • 独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
    • 岡本 光央 OKAMOTO Mitsuo
    • 独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
    • 八尾 勉 [他] YATSUO Tsutomu
    • 独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
    • 福田 憲司 FUKUDA Kenji
    • 独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
    • 荒井 和雄 ARAI Kazuo
    • 独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

抄録

The channel mobility in the SiC MOSFET degrades on the rough surface of the p-well formed by ion implantation. Recently, we have developed a double-epitaxial MOSFET (DEMOSFET), in which the p-well comprises stacked two epitaxially grown p-type layers and n-type region between the p-wells is formed by ion implantation. This device exhibited a low on-resistance of 8.5mΩcm<sup>2</sup> with a blocking voltage of 600V. In this study, to further improve the performance, we newly developed a device structure named implantation and epitaxial MOSFET (IEMOSFET). In this device, the p-well is formed by selective high-concentration p+ implantation and following low-concentration p-epitaxial growth. Fabricated IEMOSFET with a buried channel exhibited superior characteristics than DEMOSFET. The extremely low specific on-resistance of 4.3mΩcm<sup>2</sup> was achieved with a blocking voltage of 1100V.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. D, 産業応用部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of Industry Applications Society  

    電気学会論文誌. D, 産業応用部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of Industry Applications Society 127(3), 267-272, 2007-03-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018737948
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012320
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09136339
  • NDL 記事登録ID
    8732450
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-1608
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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