CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ Non-volatile Ternary Content Addressable Memory using CoFe-based Magnetic Tunnel Junction

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著者

    • 植村 哲也 UEMURA Tetsuya
    • 北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 Division of Electronics for Informatics, Hokkaido University
    • 丸亀 孝生 MARUKAME Takao
    • 北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 Division of Electronics for Informatics, Hokkaido University
    • 松田 健一 MATSUDA Ken-ichi
    • 北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 Division of Electronics for Informatics, Hokkaido University
    • 山本 眞史 YAMAMOTO Masafumi
    • 北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 Division of Electronics for Informatics, Hokkaido University

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ITS  

    電子情報通信学会技術研究報告. ITS 106(535), 57-62, 2007-02-16 

参考文献:  14件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018855134
  • NII書誌ID(NCID)
    AA11370324
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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