InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果 Ballistic electron transport properties and rectification effects in InAs/AlGaSb mesoscopic structures

この論文をさがす

著者

    • 小山 政俊 KOYAMA Masatoshi
    • 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology
    • 高橋 寛 TAKAHASHI Hiroshi
    • 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology
    • 井上 達也 INOUE Tatsuya
    • 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology
    • 前元 利彦 MAEMOTO Toshihiko
    • 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology
    • 佐々 誠彦 SASA Shigehiko
    • 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology
    • 井上 正崇 INOUE Masataka
    • 大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター Nanomaterials, Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ITS  

    電子情報通信学会技術研究報告. ITS 106(535), 67-71, 2007-02-16 

参考文献:  15件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018855154
  • NII書誌ID(NCID)
    AA11370324
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
ページトップへ