High Power and High External Efficiency m-Plane InGaN Light Emitting Diodes

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収録刊行物

  • Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 46(4), L126-L128, 2007-02-25

    Japan Society of Applied Physics

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被引用文献:  1件中 1-1件 を表示

  • 高出力m面GaN基板上InGaN-LED

    横川 俊哉 , 大屋 満明 , 藤金 正樹

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and Systems Society 133(8), 1454-1460, 2013-08-01

    J-STAGE DOI 参考文献12件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018868017
  • NII書誌ID(NCID)
    AA10650595
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    00214922
  • NDL 記事登録ID
    8662002
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z54-J337
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
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