絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの走行層幅微細化 Width reduction of transit region in hot electron transistor controlled by insulated gate

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収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2007(39), 19-24, 2007-03-01

参考文献:  10件中 1-10件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018897130
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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