Reduction of Source Resistance and Enhancement of Transconductance of InP-Based HEMTs by Using a Thin InAlAs Barrier Layer

• TAKAHASHI Tsuyoshi

  Fujitsu Limited

• MAKIYAMA Kozo

  Fujitsu Limited

• HARA Naoki

  Fujitsu Limited

Bibliographic Information

Other Title

• InAlAs障壁層薄層化によるInP系HEMTのソース抵抗低減および相互コンダクタンス向上

Journal

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2007 (39), 25-28, 2007-03-01

Keywords

• InP-based HEMT
• source resistance
• transconductance
• barrier layer

Details

• CRID: 1572261550243982592
• NII Article ID: 10018897141
• NII Book ID: AN1044178X
• Text Lang: ja
• Data Source:
  • CiNii Articles