Development of fully ion implanted MESFET on a bulk semi-insulating substrate

• ARAI Manabu

  New Japan Radio Co., Ltd.

• KATAKAMI Shuiji

  New Japan Radio Co., Ltd.

• OGATA Makoto

  New Japan Radio Co., Ltd.

• ONO Shuichi

  New Japan Radio Co., Ltd.

Bibliographic Information

Other Title

• SiC半絶縁性基板上へのイオン注入を用いたMESFET作製

Journal

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2007 (39), 39-42, 2007-03-01

Keywords

• SiC
• MESFET
• ion implantation
• RF characteristics

Details

• CRID: 1572543025220691456
• NII Article ID: 10018897175
• NII Book ID: AN1044178X
• Text Lang: ja
• Data Source:
  • CiNii Articles