Injection and Population Inversion in Electrically Induced p–n Junction in Graphene with Split Gates

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抄録

We study electron and hole injection processes in a forward biased p–n junction electrically induced in a graphene heterostructure with split gates and calculate the ac conductivity associated with the interband and intraband transitions under the conditions of population inversion. It is shown that the net conductivity can be negative in the terahertz range of frequencies, so that the electrically induced p–n junctions in graphene heterostuctures might be used in sources of coherent terahertz radiation.

収録刊行物

  • Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters  

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 46(8), L151-L153, 2007-03-25 

    Japan Society of Applied Physics

参考文献:  22件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018902857
  • NII書誌ID(NCID)
    AA10650595
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    0021-4922
  • NDL 記事登録ID
    8695165
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z54-J337
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  JSAP 
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