水素終端シリコン表面上でのフタロシアニンエピタキシャル成長の分子力学シミュレーション : Si(001)上での分子配列と面内配向

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  • Molecular electronics and bioelectronics

    Molecular electronics and bioelectronics 9(3), 106-113, 1998-08-24

参考文献:  15件中 1-15件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018958251
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10464559
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • データ提供元
    CJP書誌 
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