水素終端シリコン表面上でのフタロシアニンエピタキシャル成長の分子力学シミュレーション : Si(001)上での分子配列と面内配向

• 中村 雅一

  東レリサーチセンター

Journal

• Molecular electronics and bioelectronics

  Molecular electronics and bioelectronics 9 (3), 106-113, 1998-08-24

Details

• CRID: 1571980075307815296
• NII Article ID: 10018958251
• NII Book ID: AN10464559
• Text Lang: ja
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