6.5kV-IGBTの寄生動作検証と対策

• 末川 英介

  三菱電機(株)

• 井上 雅規

  三菱電機(株)

• 川上 稔

  三菱電機(株)

• 湊 忠玄

  三菱電機(株)

• 佐藤 克巳

  三菱電機(株)

• 望月 浩一

  福菱セミコンエンジニアリング(株)

書誌事項

タイトル別名

• Well-tempered combination of ultra-high voltage IGBT and Diode rated 6.5kV

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2003 (50), 19-23, 2003-09-19

キーワード

• 高耐圧IGBT
• 寄生動作
• 過渡オン電圧
• スイッチング損失
• 安全動作領域

詳細情報

• CRID: 1570854175415791744
• NII論文ID: 10018989772
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles