TC(Triple Conduction) 構造による700V横型MOSFETのドレイン耐圧特性の向上 Development of breakdown voltage for 700V Lateral Power MOSFET with TC(Triple Conduction) structure

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収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2003(44), 21-26, 2003-09-18 

参考文献:  3件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018989850
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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