Development of breakdown voltage for 700V Lateral Power MOSFET with TC(Triple Conduction) structure
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- TAKEHANA Yasuhiro
- Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
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- UNO Toshihiko
- Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
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- SAWADA Kazuyuki
- Matsushita Electric Industrial Co., Ltd
Bibliographic Information
- Other Title
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- TC(Triple Conduction) 構造による700V横型MOSFETのドレイン耐圧特性の向上
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Journal
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- 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会
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電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2003 (44), 21-26, 2003-09-18
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1572824500252966912
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- NII Article ID
- 10018989850
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- NII Book ID
- AN1044178X
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- CiNii Articles