TC(Triple Conduction) 構造による700V横型MOSFETのドレイン耐圧特性の向上

• 竹花 康宏

  松下電器産業株式会社

• 宇野 利彦

  松下電器産業株式会社

• 澤田 和幸

  松下電器産業株式会社

書誌事項

タイトル別名

• Development of breakdown voltage for 700V Lateral Power MOSFET with TC(Triple Conduction) structure

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2003 (44), 21-26, 2003-09-18

キーワード

• 高耐圧横型MOSFET
• インテリジェントパワーデバイス
• 高加速イオン注入
• 埋め込み領域
• DC
• TC

詳細情報

• CRID: 1572824500252966912
• NII論文ID: 10018989850
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles