14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上 14nm Gate Length CMOSFETs : Utilizing Low Thermal Budget Process with Poly-SiGe and Ni Salicide

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著者

    • 外園 明 HOKAZONO A.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 大内 和也 OHUCHI K.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 高柳 万里子 TAKAYANAGI M.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 渡辺 由美 WATANABE Y.
    • (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 馬越 俊幸 MAGOSHI S.
    • (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 加藤 善光 KATO Y.
    • (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 清水 敬 SHIMIZU T.
    • (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 森 伸二 MORI S.
    • (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 小熊 英樹 OGUMA H.
    • (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 佐々木 俊行 SASAKI T.
    • (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 吉村 尚郎 YOSHIMURA H.
    • (株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター System LSI division, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 宮野 清孝 MIYANO K.
    • (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 安武 信昭 YASUTAKE N.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 須藤 裕之 SUTO H.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 安達 甘奈 ADACHI K.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 福井 大伸 FUKUI H.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 渡辺 健 WATANABE T.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 玉置 直樹 TAMAOKI N.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 豊島 義明 TOYOSHIMA Y.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company
    • 石内 秀美 ISHIUCHI H.
    • (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research & Development Center, Toshiba Corporation Semiconductor Company

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2003(32), 1-6, 2003-03-06 

参考文献:  6件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018989863
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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