14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上

• 外園 明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大内 和也

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 渡辺 由美

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 馬越 俊幸

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 加藤 善光

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 清水 敬

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 森 伸二

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 小熊 英樹

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 佐々木 俊行

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 吉村 尚郎

  (株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 安武 信昭

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 須藤 裕之

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 安達 甘奈

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 福井 大伸

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 渡辺 健

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 玉置 直樹

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

書誌事項

タイトル別名

• 14nm Gate Length CMOSFETs : Utilizing Low Thermal Budget Process with Poly-SiGe and Ni Salicide

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2003 (32), 1-6, 2003-03-06

キーワード

• 高性能CMOS技術
• 短チャネル効果
• 極浅接合
• ゲート空乏化
• スパイクアニール
• ポリシリコンゲルマニウム
• オフセットスペーサ
• ニッケルサリサイド
• オキシナイトライド
• プラズマ窒化

詳細情報

• CRID: 1572261550299550592
• NII論文ID: 10018989863
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles