高性能ひずみSOI-CMOS素子技術 : キャリア移動度劣化機構と素子設計 High Performance Strained-SOI CMOS Technology : Degradation Mechanism for Carrier Mobility and Device Design

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収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2003(32), 7-11, 2003-03-06 

参考文献:  12件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018989870
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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