High Performance Strained-SOI CMOS Technology : Degradation Mechanism for Carrier Mobility and Device Design
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- 高性能ひずみSOI-CMOS素子技術 : キャリア移動度劣化機構と素子設計
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- 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会
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電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2003 (32), 7-11, 2003-03-06
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1571135650392706688
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- NII Article ID
- 10018989870
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- NII Book ID
- AN1044178X
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- CiNii Articles