大気圧成長GaN系MOVPE成長技術の開発 Development of Atmospheric Pressure Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Technology for GaN and Related Alloys

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  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2003(32), 63-67, 2003-03-06

参考文献:  14件中 1-14件 を表示

  • <no title>

    HIRAMATSU K.

    ICMOVPE-X, Sapporo, 2000, 2000

    被引用文献1件

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    TACHIBANA A.

    "Proc. Int. Symp. Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba 1996" (Ohmsha, Tokyo), 1997

    被引用文献1件

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    TACHIBANA A.

    Proc. 3^<rd> Int. Conf. Nitride Semiconductors, Montpellier (France), July 5-9, 1999, 1999

    被引用文献1件

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    NAKAMURA K.

    Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, 2000 1, 97-100, 2000

    被引用文献1件

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    UCHIDA K.

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    被引用文献1件

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    AKUTSU N.

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 113, 1998

    被引用文献1件

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    TOKUNAGA H.

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    被引用文献1件

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    TOKUNAGA H.

    ICMOVPE-X, Sapporo, 2000, 2000

    被引用文献1件

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    HIRAMATSU K.

    J. Cryst. Growth 221, 316, 2000

    被引用文献36件

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    TACHIBANA A.

    Phys. Status Solidi A 176, 699, 1999

    被引用文献2件

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    MAKINO O.

    Appl. Surf. Sci. 159-160, 374, 2000

    被引用文献4件

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    NAKAMURA K.

    J. Organomet. Chem. 611, 514, 2000

    被引用文献7件

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    TOKUNAGA H.

    J. Cryst. Growth 221, 616, 2000

    被引用文献5件

  • In Situ Monitoring of GaN Growth Using Interference Effects

    NAKAMURA Shuji

    Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes 30(8), 1620-1627, 1991-08-15

    応用物理学会 被引用文献8件

キーワード

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018989977
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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