書誌事項
- タイトル別名
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- Growth and emission property of ZnO film by hydrogen remote plasma CVD
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
- スイソ リモートプラズマ CVDホウ ニ ヨル ZnO ノ セイチョウ ト ハッコウ トクセイ
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抄録
ジエチルジンク(DEZn)と0_2ガスを原料とする水素ラジカル励起リモートプラズマMOCVD法により、a面サファイア基板にc面ZnO薄膜を成長した。rfホロカソードジェトタイプのプラズマ生成部で生成された水素ラジカルは、原料であるジエチルジンクを低温で分解するために用いた。この方法を用いて、基板温度300℃でa面サファイア上にc軸配向したZnO薄膜を作製した。また、ラジカル原料である水素と酸素原料の流量比を変化させることにより、PLスペクトルの欠陥準位からの発光を低減できることがわかった。
収録刊行物
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- 映像情報メディア学会技術報告
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映像情報メディア学会技術報告 27.4 (0), 61-64, 2003
一般社団法人 映像情報メディア学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679504598912
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- NII論文ID
- 110003672180
- 10018990110
- 110003268314
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- NII書誌ID
- AN1059086X
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- ISSN
- 09135685
- 24241970
- 13426893
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可