((Y_2O_3)_<1-X>-(Ga_2O_3)_X):Mn多元系蛍光体薄膜のEL特性  [in Japanese] High-Luminance Thin-Film EL Device Using Mn-activated Y_2O_3-Ga_2O_3 Phosphor  [in Japanese]

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Author(s)

    • 鈴木 康之 SUZUKI Yasuyuki
    • 金沢工業大学O.E. デバイスシステムR&Dセンター O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology
    • 南 内嗣 MINAMI Tadatugu
    • 金沢工業大学O.E. デバイスシステムR&Dセンター O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology

Journal

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2003(1), 37-40, 2003-01-27 

References:  6

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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    10018990248
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN1044178X
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • Data Source
    CJP 
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