1200V系トレンチゲート型フィールドストップIGBTの短絡特性の解析

• 大月 正人

  富士日立パワーセミコンダクター

• 金丸 浩

  富士電機総合研究所

• 吉原 克彦

  富士電機総合研究所

• 小野沢 勇一

  富士電機

• 桐沢 光明

  富士電機

• 関 康和

  富士電機

書誌事項

タイトル別名

• Investigation on the Short-Circuit Capability of 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2002 (91), 35-38, 2002-11-29

キーワード

• フィールドストップIGBT
• トレンチ
• 短絡破壊

詳細情報

• CRID: 1572824500226184064
• NII論文ID: 10018990322
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles