高耐圧Zr_xSi_yN窒化物絶縁層の作製とZnS:Mn,LiF赤色系EL素子への応用  [in Japanese] Fabrication of high breakdown voltage Zr_xSi_yN insulator and its application to ZnS:Mn,LiF red electroluminescent devices  [in Japanese]

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Author(s)

    • 山本 和志 YAMAMOTO Kazushi
    • 金沢工業大学、光電磁場科学応用研究所 Kanazawa Institute of Technology Advanced Optical Electro Magnetic Field Science Lab.
    • 三上 明義 MIKAMI Akiyoshi
    • 金沢工業大学、光電磁場科学応用研究所 Kanazawa Institute of Technology Advanced Optical Electro Magnetic Field Science Lab.

Journal

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2002(1), 61-66, 2002-01-24 

References:  5

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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    10018990895
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN1044178X
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • Data Source
    CJP 
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