Si基板上へのCaS:Cu,F薄膜EL素子の形成 Preparation of CaS:Cu,F TFEL devices on Si substrate

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  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2002(1), 73-78, 2002-01-24

参考文献:  5件中 1-5件 を表示

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    NAKANISHI Y.

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    DOI 被引用文献6件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018990909
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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