各種成膜法により作製したY_2O_3:Mn蛍光体薄膜のPL及びEL特性 PL AND EL FROM Y_2O_3:Mn THIN FILMS PREPARED BY VARIOUS DEPOSITION METHODS

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著者

    • 白井 徹也 SHIRAI Tetsuya
    • O.E. デバイスシステムR&Dセンター、金沢工業大学 O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology
    • 小林 洋平 KOBAYASHI Youhei
    • O.E. デバイスシステムR&Dセンター、金沢工業大学 O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology
    • 山崎 正志 YAMAZAKI Masashi
    • O.E. デバイスシステムR&Dセンター、金沢工業大学 O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology
    • 宮田 俊弘 MIYATA Toshihiro
    • O.E. デバイスシステムR&Dセンター、金沢工業大学 O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology
    • 南 内嗣 MINAMI Tadatsugu
    • O.E. デバイスシステムR&Dセンター、金沢工業大学 O.E. Device System R&D center, Kanazawa Institute of Technology

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2002(1), 79-84, 2002-01-24

参考文献:  9件中 1-9件 を表示

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    MINAMI T.

    Proc. of the 16th Int. Display Research Conf., 1996, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    MINAMI T.

    Extended Abstracts the 2nd Int. Conf. on the Sci. and Tech. of Display Phosphors, 1996, 1996

    被引用文献1件

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    KITAI A. H.

    SID Int. Symp., Digest Tech. Papers, 1997, 1997

    被引用文献1件

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    MINAMI T.

    Mat. Res. Soc. Proc. 560, 47, 1999

    被引用文献1件

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    MINAMI T.

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 558, 29, 2000

    被引用文献1件

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    MINAMI T.

    Proc. 8^<th> Workshop, 1996, 1996

    被引用文献1件

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    MINAMI T.

    Proc. of 6th Int. Display Research Conf., Tokyo, 1986, 1986

    被引用文献1件

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    MINAMI T.

    Journa of the SID 4/4, 299-303, 1996

    被引用文献7件

  • Electroluminescent Devices with Ga2O3:Mn Thin-Film Emitting Layer Prepared by Sol-Gel Process

    Minami Tadatsugu , Shirai Tetsuya , Nakatani Toshikuni , Miyata Toshihiro

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 39(6A), L524-L526, 2000-06-01

    応用物理学会 参考文献12件 被引用文献5件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018990915
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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