エキシマレーザードーピングによるZnO pn接合形成(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)

• 清水 克美

  静岡大学電子工学研究所

• 野中 秀紀

  静岡大学電子工学研究所

• 青木 徹

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大学電子工学研究所

書誌事項

タイトル別名

• Formation of ZnO pn Junction by Excimer Laser Doping
• エキシマレーザードーピングによるZnO pn接合形成
• エキシマレーザードーピング ニ ヨル ZnO pn セツゴウ ケイセイ

抄録

ジエチルジンク(DEZn)とO_2ガスを原料とするプラズマCVDによりr面サファイア基板にa面ZnO薄膜を成長した。XRD測定を行ったところ、ZnO(110)のピークの半値幅は約1000秒であった。このZnO薄膜および熱酸化によってSi基板上に作製したZnO薄膜に、Sbをドーパント原料としたエキシマレーザードーピングを行い、p形ZnO層の形成を試みた。さらに、Sbドーピング層をp側とし、ドーピングを行っていない領域をn側としたpn接合を形成し、電流電圧測定を行った。その結果、熱酸化によって作製したZnO薄膜を用いた場合p形ZnO層が得られ、pn接合を形成したところ整流性が得られた。

収録刊行物

• 映像情報メディア学会技術報告

  映像情報メディア学会技術報告 26.5 (0), 103-108, 2002

  一般社団法人 映像情報メディア学会

キーワード

• ZnO
• エキシマレーザー
• MOCVD
• Sbドーピング

詳細情報

• CRID: 1390282679502538496
• NII論文ID: 110003671594
• NII論文ID: 10018990964
• NII論文ID: 110003269903
• NII書誌ID: AN1059086X
• ISSN: 09135685
• ISSN: 24241970
• ISSN: 13426893
• DOI: 10.11485/itetr.26.5.0_103
• NDL書誌ID: 6118105
• NDL書誌ID: 6081921
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6118105
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6081921
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可