エピタキシャルAl_2O_3/Si構造を用いたMOS型電子源の検討  [in Japanese] MOS Field Emitters Using Epitaxial Al_2O_3/Si Structure  [in Japanese]

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Author(s)

    • 澤田 和明 SAWADA K.
    • 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 電子デバイス大講座 Electronic & Electric Engineering, Toyohashi University of Technology
    • 星 智弘 HOSHI T.
    • 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 電子デバイス大講座 Electronic & Electric Engineering, Toyohashi University of Technology
    • 古字 芳明 KOJI Y.
    • 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 電子デバイス大講座 Electronic & Electric Engineering, Toyohashi University of Technology
    • 金 璋燮 KIM J.
    • 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 電子デバイス大講座 Electronic & Electric Engineering, Toyohashi University of Technology
    • SHAHJAHAN M.
    • 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 電子デバイス大講座 Electronic & Electric Engineering, Toyohashi University of Technology
    • 高橋 成也 TAKAHASHI N.
    • 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 電子デバイス大講座 Electronic & Electric Engineering, Toyohashi University of Technology
    • 石田 誠 ISHIDA M.
    • 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 電子デバイス大講座 Electronic & Electric Engineering, Toyohashi University of Technology

Journal

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(140), 27-32, 2001-12-14 

References:  8

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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    10018991032
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN1044178X
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • Data Source
    CJP 
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