TC (Triple Conduction) 構造による700V横型MOSFETの高効率化 A 700V Lateral Power MOSFET with TC(Triple Conduction) structure Realizing Higher Efficiency

この論文をさがす

著者

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(68), 35-40, 2001-10-25 

参考文献:  3件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991764
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
ページトップへ