宇宙用MOSFETのシングルイベントバーンアウト(SEB)の3次元デバイスシミュレーション 3 Dimensional Device Simulation for Single-Event-Burnout (SEB) of Space Use Power-MOSFETs

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収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(68), 41-46, 2001-10-25 

参考文献:  3件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018991768
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用 
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