宇宙用MOSFETのシングルイベントバーンアウト(SEB)の3次元デバイスシミュレーション

• 田上 三郎

  富士電機株式会社 松本工場

• 小林 孝

  富士日立パワーセミコンダクタ株式会社

• 桐畑 文明

  富士電機株式会社 松本工場

• 染河 秀治

  宇宙開発事業団 筑波宇宙センター

• 久保山 智司

  宇宙開発事業団 筑波宇宙センター

書誌事項

タイトル別名

• 3 Dimensional Device Simulation for Single-Event-Burnout (SEB) of Space Use Power-MOSFETs

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001 (68), 41-46, 2001-10-25

キーワード

• デバイスシミュレーション
• ドリフト拡散
• MOSFET
• シングルイベントバーンアウト
• 宇宙線耐量

詳細情報

• CRID: 1570572700412541312
• NII論文ID: 10018991768
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles